高品质石墨烯制备技术获突破 石墨烯产业化将加速

石墨烯的制备一直是阻碍石墨烯产业化的决定性因素。目前现有的制备方法不是获得石墨烯尺寸太小、难以实现量产，就是工艺复杂、所得石墨烯品质不高。而美国研究人员再一次偶然实验中，通过简单方法即获得大面积高品质石墨烯，这让石墨烯产业化进程有望加速。

美国加州理工学院(CaliforniaInstituteofTechnology，简称Caltech)的研究人员开发出了室温下只需5分钟就能在铜(Cu)箔上形成几厘米见方高品质石墨烯的技术，并在学术杂志“NatureCommunications”上发表了论文。这项技术可能会给太阳能电池、显示器的透明电极、燃料电池的氢离子渗透膜、高品质隔离膜以及柔性电子整体带来很大的影响。

此前主要有两种方法可以获得高品质的石墨烯。一种是将胶带贴在石墨上再揭下来，从而将石墨烯剥下来的“机械剥离法”。不过，这种方法难以实现量产，所获得的石墨烯尺寸较小，直径还不到1mm。

另一种方法是化学气相沉积(CVD)法，具体是将铜箔加热至1000℃左右，向其中加入甲烷(CH4)等碳源后形成石墨烯。这种方法虽然能够获得直径在1cm左右的高品质石墨烯，但需要高温且复杂的工艺，而且需要花费约10个小时。

此次的技术是CVD法的一种，工艺温度为室温，而且只需约5分钟就能形成几厘米见方的高品质石墨烯。具体方法是首先用氢等离子体来清洁铜箔的表面。然后，向其中加入碳源。

由此获得的石墨烯面积大、而且缺陷非常少，其载流子迁移率在合成制作的石墨烯中属于最高水平。

此次技术能够获得高品质石墨烯的理由主要有三个。第一个理由是由氢等离子体将铜箔上的氧化铜还原并去除掉。据Caltech科研人员(StaffScientist)DavidBoyd介绍，因实验差错在过度加热的铜箔上形成了高品质的石墨烯，由此才发现了此次的工艺。

第二个理由是氢等离子体与CVD真空腔内残留的氮气发生反应，形成了化学活性较高的分子——氰自由基(CyanoRadical)，可以彻底地清洁铜箔。

第三个理由是由于采用室温工艺，铜箔没有出现膨胀收缩。如果是采用高温工艺的CVD法，在降温过程中，铜箔以及配备铜箔的基板无可避免地会出现收缩。此时，好不容易形成的高品质石墨烯也会出现缺陷。一直采用室温的话，就不会出现这些问题。

~目前现有的制备方法不是获得石墨烯尺寸太小、难以实现量产，就是工艺复杂、所得石墨烯品质不高。而美国研究人员再一次偶然实验中，通过简单方法即获得大面积高品质石墨烯，这让石墨烯产业化进程有望加速。

美国加州理工学院(CaliforniaInstituteofTechnology，简称Caltech)的研究人员开发出了室温下只需5分钟就能在铜(Cu)箔上形成几厘米见方高品质石墨烯的技术，并在学术杂志“NatureCommunications”上发表了论文。这项技术可能会给太阳能电池、显示器的透明电极、燃料电池的氢离子渗透膜、高品质隔离膜以及柔性电子整体带来很大的影响。

此前主要有两种方法可以获得高品质的石墨烯。一种是将胶带贴在石墨上再揭下来，从而将石墨烯剥下来的“机械剥离法”。不过，这种方法难以实现量产，所获得的石墨烯尺寸较小，直径还不到1mm。

另一种方法是化学气相沉积(CVD)法，具体是将铜箔加热至1000℃左右，向其中加入甲烷(CH4)等碳源后形成石墨烯。这种方法虽然能够获得直径在1cm左右的高品质石墨烯，但需要高温且复杂的工艺，而且需要花费约10个小时。

此次的技术是CVD法的一种，工艺温度为室温，而且只需约5分钟就能形成几厘米见方的高品质石墨烯。具体方法是首先用氢等离子体来清洁铜箔的表面。然后，向其中加入碳源。

由此获得的石墨烯面积大、而且缺陷非常少，其载流子迁移率在合成制作的石墨烯中属于最高水平。

此次技术能够获得高品质石墨烯的理由主要有三个。第一个理由是由氢等离子体将铜箔上的氧化铜还原并去除掉。据Caltech科研人员(StaffScientist)DavidBoyd介绍，因实验差错在过度加热的铜箔上形成了高品质的石墨烯，由此才发现了此次的工艺。

第二个理由是氢等离子体与CVD真空腔内残留的氮气发生反应，形成了化学活性较高的分子——氰自由基(CyanoRadical)，可以彻底地清洁铜箔。

第三个理由是由于采用室温工艺，铜箔没有出现膨胀收缩。如果是采用高温工艺的CVD法，在降温过程中，铜箔以及配备铜箔的基板无可避免地会出现收缩。此时，好不容易形成的高品质石墨烯也会出现缺陷。一直采用室温的话，就不会出现这些问题。